信越推出新型半导体后端制造设备 HBM 可无需中介层实现 内存 2.5D 集成 (信越推出新型半导体设备)


7月11日消息,日本信越化学6月12日宣布开发出新型半导体后端制造设备,可直接在封装基板上构建符合2.5D先进封装集成需求的电路图案,▲蚀刻图案这意味着可在HBM内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层,Interposer,,在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程,▲2.5D集成结构对比信越表示,该新型后端设备采用准分子激光...。

信越化学

7 月 11 日消息,日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备,可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。

▲蚀刻图案

这意味着 可在 HBM 内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层 (Interposer),在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。

▲2.5D 集成结构对比

信越表示,该新型后端设备 采用准分子激光器蚀刻布线,无需光刻工艺 就能批量形成大面积的复杂电路图案,达到了传统制造路线无法企及的精细度。

结合信越化学开发的光掩模坯和特殊镜头,新型激光后端制造设备 可一次性加工 100mm 见方或更大的区域

根据《日经新闻》报道,信越化学 目标 2028 年量产这款设备 ,力争实现 200~300 亿日元(备注:当前约 9.02 ~ 13.53 亿元人民币)相关年销售额。


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