（贝云网络科技）
业界释出碳化硅已然迈入高速增长期。从市场规模上看，据TrendForce集邦咨询研究指出，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。
当前碳化硅这条康庄大道热闹非凡。市场最新消息，昨天（7月23日），全球碳化硅大厂安森美（onsemi）向外公布，已与大众汽车缔结合作关系。
根据介绍，安森美（onsemi）与大众汽车集团签署了一项多年期协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别的主驱逆变器，兼容所有车辆类别。
同时，安森美工厂的邻近优势将加强大众汽车集团的供应链。大众汽车集团将受益于安森美在捷克共和国扩大碳化硅生产的投资计划，这项投资将在欧洲建立一个主驱逆变器电源系统的端到端生产基地。今年6月19日，安森美宣布将在捷克共和国建造先进的垂直整合碳化硅制造工厂，该工厂将生产安森美的智能功率半导体，这些功率半导体有助于提高电动汽车、可再生能源和AI数据中心等应用的能效。
大众汽车集团动力总成采购高级副总裁Till von Bothmer补充指出，除了垂直整合之外，安森美还依托其亚洲、欧洲和美国等地区布局碳化硅（SiC）晶圆厂，进一步提出了弹性供应概念。此外，安森美将不断提供最新一代的碳化硅技术，以确保其在市场上的竞争力。
除了大众汽车，安森美的后端体系链还搭上了理想汽车。1月9日，安森美宣布与理想汽车续签长期供货协议。协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美EliteSiC 1200V产品拥有更高能效、更轻量的设计，可增加汽车的续航里程和加快充电速度，裸芯片产品则便于客户根据特定应用需求进行差异化封装设计。
产品技术上，安森美近日推出了最新一代碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET，并计划在2030年前推出多代新产品。EliteSiC M3e MOSFET在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%。基于EliteSiC M3e MOSFET，安森美的电源箱解决方案能够在更小的封装内处理更大功率，并能显著降低能耗。
据TrendForce集邦咨询此前指出，近年来，安森美SiC业务进展迅速，这主要归功于其车用EliteSiC系列产品。onsemi位于韩国富川的SiC晶圆厂在2023年完成扩建，并计划在2025年完成相关技术验证后转为8英寸。自完成对GTAT收购后，目前onsemi的SiC衬底材料自给率已超过50%，随着内部材料产能的提升，公司正在朝着毛利率达到50%的目标前进。
值得一提的是，本月初，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购，通过此次收购，安森美将把硅基CMOS传感器和制造专长与CQD技术相结合，以更低的成本和更高的产量提供高度集成的SWIR传感器。这将带来结构更紧凑、成本效益更高的成像系统，具有更宽的光谱，可广泛应用于商业和工业领域。